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ddr4和ddr3的区别

归档日期:07-16       文本归类:预取      文章编辑:爱尚语录

  1、ddr4:标准工作电压为1.2V,最低可降至1.1V—1.05V,相比于ddr3更节能。

  1、ddr4:采用16bit预取机制,同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍,更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升。

  2、ddr3:采用8bit预取设计,DDR3显存规格为8M X 32bit,单颗颗粒容量较大,4颗即可构成128MB显存。

  内存得速度上除了工作频率外,还有内存的各种延迟,一般来说,延迟越小内存性能越好。对内存影响较大得延迟有Command Rate,CAS,TRCD,TRP,TRAS。在同样都是2200MHz的工作频率下,DDR4代的各项延迟能被设置的更小,性能当然也比DDR3高。另外,DDR4代内存的制成要比DDR3代进步,发热也比DDR3代的低。值得说得是,在整机中并不是内存的性能越好越好。因为在整机中还存在各个配件的数据交换带宽,比如说前端总线MHz的单通道内存就够了,比这还高的内存不能完全发挥他的性能。这也是Inter在新的Nehalem构架中抛弃FSB总线而采用更高速的QPI总线的原因。

  DDR4相比DDR3最大的区别有三点:16bit预取机制(DDR3为8bit),同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍;更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升;工作电压降为1.2V,更节能。DDR4新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下,DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz。

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